RF AMP 구성 회로(Choke 인덕터, 바이패스 커패시터, dc블락 등)

RF AMP인 BGS4 Datesheet에 있는 작동 회로를 들고 왔습니다. 

amp 주변에 다양한 커패시터와 하나의 인덕터가 있죠.

이번 시간에는 이러한 커패시터와 인덕터의 역할을 알아보도록 하겠습니다.

BGS4

 

먼저 커패시터와 인덕터의 특성을 간단하게 정리해 보겠습니다.

• 인덕터 - 고주파를 차단하고 저주파를 잘 통과시킨다.(급격한 변화를 싫어한다.)
• 커패시터 - 저주파를 차단하고 고주파를 잘 통과시킨다.(급격한 변화를 좋아한다.)

해당 특성은 아래 L과 C의 역할을 이해하는 기본적인 특성이니 꼭 알아둡시다.

 

L과 C의 역할

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C1, C2 - Coupling capacitor: DC block

C3, C4 - By pass capacitor: 전원으로부터 나오는 잡음을 잡아주는 역할

C5 - de-coupling capacitor: 큰 캐패시터로 충방전을 통해서 순간적인 peak를 억누르는 역할

L1 -chock: RF라인의 고주파가 전원부로 역류하는 것을 방지하는 역할

 

그림을 통해 이해하기 쉽게 설명하도록 하겠습니다.

 

 

1. DC 블락

C1과 C2의 경우에는 커패시터가 저주파를 통과시키지 않는 특성을 이용하여서 RF라인에 DC성분 신호를 차단해서 온전히 RF 신호만 AMP로 통과시켜 증폭시키는 역할을 합니다.

 

 

2. Choke와 By pass capacitor

L1은 고주파 신호가 전원 공급 라인을 타고 레귤레이터로 역류하는 것을 막아줍니다.

L값이 크면 클수록 저주파를 잘 막고 높으면 높을 수록 고주파를 잘 막기 때문에 주파수 별로 요구하는 reference값이 가장 다른 것도 확인할 수 있습니다.

 

그리고 C3와 C4는 레귤레이터나 스위치 등에서 생기는 잡음(교류 성분)이 전원 라인을 타고 AMP로 들어가는 것을 방지하는 역할입니다. C3가 작은 값이고 C4가 큰 값인 것을 확인할 수 있는데요. C3는 저주파를, C4는 고주파를 담당합니다.

 

마지막으로 C5는1㎌으로 가장 큰 값이 달리는데요. 커패시터가 충, 방전되는 특성을 이용해서 안정적으로 전원 공급이 되도록 합니다.

 

 

이번에는 GaAs AMP 회로를 다뤄 봤습니다. 한 번쯤 정리하고 싶었는데 드디어 하게 되네요.

다음에는 GaN AMP도 다뤄보고 싶습니다. 언제가 될지는 모르겠네요 ㅎㅎㅎ

 

여기까지 읽어주셔서 감사합니다.