RF AMP GATE CONTROL(게이트 제어) - Gate Drive
2024. 5. 31. 10:23ㆍ직무지식/RF회로
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1. 아날로그 디바이스 Gate Drive Application
https://www.analog.com/en/resources/analog-dialogue/raqs/raq-issue-148.html
2. Qorvo - application-note-gan-power-amplifier-pulsed-operation-best-practices
첫 번째는 많은 RF/마이크로웨이브 전력 증폭기가 RF 부하 및 온도 조건에 대한 안정적인 동작을 보장하기 위해 큰 용량 바이패스를 필요로 한다는 것입니다. 이 추가 커패시턴스(보통 > 10uF)는 기존의 작은 신호 전압 성분으로는 구동하기 어렵습니다. 이러한 커패시터 중 가장 큰 커패시터의 제거가 가능할 수 있지만, 증폭기가 예상 동작 조건에 대해 안정적으로 유지되도록 보장하기 위해 실사가 수행될 필요가 있습니다.
→ Gate 부 큰 커패시터를 제거한 뒤 테스트 해봐라?
드레인 전원 공급기의 부하를 줄이기 위해 게이트 펄스 작동뿐만 아니라 드레인 펄스 작동을 위해 추가적인 대용량 드레인 저장 커패시터가 필요합니다.
→ Drain부 대용량 커패시터 추가?
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